Samsung рвётся вперёд

Первой в области закончила разработку и начала выпуск микросхем динамической памяти, которые имеют произвольный доступ, поддерживают удвоенную скорость передачи и еще имеют пониженное энергопотребление, компания Samsung. В ноябре были сделаны первые по технологии тридцатинанометрового класса монолитные чипы, которые имеют плотность 4 Гбит. По предположениям компании их больше всего будут применять в мобильных устройствах, а именно планшетах и смартфонах.
Сейчас в корпус микросхемы, которая имеет плотность 8 Гбит установлено 2 чипа, а раньше нужно было четыре чипа по 2 Гбит. Так как было уменьшено количество кристаллов, то и уменьшилась толщина самой микросхемы на двадцать процентов (была 1 мм, а стала 0,8 мм), мощность, которая потребляется, стала меньше на 25%
Микросхемы имеют скорость передачи данных 1066 Мбит/с, а это почти равно скорости памяти, которая используется в ПК и более чем в 2 раза больше скорости памяти mobile DRAM, которая имеет скорость работы 400 и 333 Мбит/с. Уже начались поставки образцов вышеуказанных микросхем памяти с плотностью восемь гигабит.

Обзор renault scenic можно найти тут.